[发明专利]形成MOS晶体管的方法及其结构无效
| 申请号： | 200910151750.8 | 申请日： | 2009-07-13 |
| 公开（公告）号： | CN101685834A | 公开（公告）日： | 2010-03-31 |
| 发明（设计）人： | J·皮尔斯;P·温卡特拉曼;J·塞勒斯;H·D·巴哈特 | 申请（专利权）人： | 半导体元件工业有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 秦 晨 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 形成MOS晶体管的方法及其结构。在一个实施方式中，形成MOS晶体管，该MOS晶体管包括具有有源区以及终端区。在所述终端区域内部形成多个导体，以与多个槽多个槽中的导体形成电接触。在终端区域内形成的多个导体基本上共面。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 mos 晶体管 方法 及其 结构 | ||
【主权项】：
1.一种MOS晶体管，包括：具有表面的半导体基板；所述MOS晶体管的有源区；形成在所述半导体基板中并形成在所述有源区内的多个活性槽，其中所述多个活性槽中的每个活性槽包括屏蔽导体以及上覆栅极导体；源极区，其在与每一个活性槽相邻的所述半导体基板的表面上作为第一掺杂区而形成；在所述有源区外部的终端区；形成在所述半导体基板中和所述终端区内的屏蔽触点槽，所述屏蔽触点槽具有在所述屏蔽触点槽内的第一导体；栅极触点槽，其在所述半导体基板中形成，并设置在所述屏蔽触点槽和所述多个活性槽中的至少一个活性槽两者附近，所述栅极触点槽具有在所述栅极触点槽内的第二导体，并且其中没有源极区与所述栅极触点槽相邻；源极导体，其覆盖在所述多个活性槽之上，并与所述多个活性槽中的每个活性槽的源极区形成电接触；第三导体，其覆盖在所述屏蔽触点槽之上，并与所述第一导体形成电接触；以及第四导体，其覆盖在所述栅极触点槽之上，并与所述第二导体形成电接触，其中所述第三导体和所述第四导体是基本上共面的，且没有电连接在一起。
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