[发明专利]背照式CCD阵列光谱仪标准具效应的校正方法有效

专利信息
申请号: 200910153389.2 申请日: 2009-10-19
公开(公告)号: CN101694466A 公开(公告)日: 2010-04-14
发明(设计)人: 阮华;戴连奎;包鑫 申请(专利权)人: 浙江大学
主分类号: G01N21/65 分类号: G01N21/65;G01N21/01
代理公司: 杭州求是专利事务所有限公司 33200 代理人: 韩介梅
地址: 310027*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明公开了一种背照式CCD阵列光谱仪标准具效应的校正方法。该方法包括测量标准具效应光谱和待测物质光谱,然后根据标准具效应光谱和待测物质光谱的特征计算补偿光谱,最后将补偿光谱从待测物质光谱扣除。本发明从光谱软处理的角度对光谱进行校正,在不降低光谱仪量子效率的情况下,完全消除了标准具效应的影响,提高了该类型光谱仪的准确性。可用于实验室光谱仪日常校正,也可用于在线光谱仪的校正。这对基于背照式光谱仪的实验室光谱分析和工业生产在线光谱分析有着重要意义。
搜索关键词: 背照式 ccd 阵列 光谱仪 标准 效应 校正 方法
【主权项】:
背照式CCD阵列光谱仪标准具效应的校正方法,包括如下步骤:1)用钨卤光源或荧光物质测取光谱仪标准具效应光谱A;2)用最小二乘法对光谱仪标准具效应特征光谱A进行多项式拟合,得到光谱仪标准具效应光谱基线B;3)根据步骤1)得到的光谱仪标准具效应光谱和步骤2)中的光谱基线,按式(1)计算光谱仪标准具效应特征曲线T;T=(A-B)/B ---------(1)4)测量待测物质光谱S;5)根据待测物质光谱S和标准具效应特征曲线T计算补偿光谱曲线P;设:Si、Ti、Pi分别为S、T、P在第i个像素点的值,根据算式Ci=Si*Ti/(1+Ti)计算C。选取一段无尖锐信号区域作为参考区,在参考区内,对S和C分别进行一阶最小二乘拟合,各自减去拟合值,计算S和C各自减去拟合值之后的方差之比k,补偿光谱曲线P=k*C;6)从待测物质光谱S中减去补偿光谱曲线P得到校正后光谱。
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