[发明专利]高频用高介电常数陶瓷无效
| 申请号： | 200910153525.8 | 申请日： | 2009-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN101691299A | 公开（公告）日： | 2010-04-07 |
| 发明（设计）人： | 刘小强;陈湘明 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | C04B35/50 | 分类号： | C04B35/50 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人： | 韩介梅 |
| 地址： | 310027*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明的高频用高介电常数陶瓷，它的成分及其摩尔百分比含量为：La2O3或Nd2O3或Sm2O3：50.0～66.67，SrO或CaO：0.0～16.67，NiO：33.33。该高介电常数陶瓷在3～100MHz的频率下其介电常数达到50,000以上，介电损耗在0.1以下。利用本发明提供的高频用高介电常数陶瓷，可使电容器和存储器等元器件适合更高频率应用，同时由于其极高的介电常数，这也有利于这些元器件的集成化。 | ||
| 搜索关键词： | 高频 介电常数 陶瓷 | ||
【主权项】：
高频用高介电常数陶瓷，其特征在于它的成分及其摩尔百分比含量为：La2O3或Nd2O3或Sm2O3 50.0～66.67SrO或CaO 0.0～16.67NiO 33.33。
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