[发明专利]消除功率肖特基二极管电子沟道漏电流的方法无效
| 申请号： | 200910153797.8 | 申请日： | 2009-11-09 |
| 公开（公告）号： | CN101719470A | 公开（公告）日： | 2010-06-02 |
| 发明（设计）人： | 马向阳;黄力平;周诗雨;陈珊珊;朱春生;李宇景;朱江 | 申请（专利权）人： | 浙江大学;杭州立昂电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/329 | 分类号： | H01L21/329;H01L21/3105 |
| 代理公司： | 杭州天勤知识产权代理有限公司 33224 | 代理人： | 胡红娟 |
| 地址： | 310027 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种消除功率肖特基二极管电子沟道漏电流的方法，包括：将含有由电子束蒸发正面金属层导致的电子沟道的功率二极管芯片在300-400℃退火，退火时间为30-60分钟。退火的气氛可以为如下任一种：(1)气压小于5×10-3Pa的真空；(2)氩气氛，工作气压不超过1标准大气压；(3)氢气氛，工作气压不超过10000Pa。本发明方法简单、易操作，可以有效消除正面金属为Ti/Ni/Ag的功率肖特基二极管由于电子束蒸发导致的电子沟道漏电流，提高正面金属为Ti/Ni/Ag的肖特基二极管芯片成品率。 | ||
| 搜索关键词： | 消除 功率 肖特基 二极管 电子 沟道 漏电 方法 | ||
【主权项】：
一种消除功率肖特基二极管电子沟道漏电流的方法，包括：将含有由电子束蒸发正面金属层导致的电子沟道的功率肖特基二极管芯片在300-400℃退火，退火时间为30-60分钟。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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