[发明专利]一种双抛片的加工方法无效
| 申请号： | 200910154293.8 | 申请日： | 2009-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN101722461A | 公开（公告）日： | 2010-06-09 |
| 发明（设计）人： | 肖型奎 | 申请（专利权）人： | 杭州海纳半导体有限公司 |
| 主分类号： | B24B29/02 | 分类号： | B24B29/02 |
| 代理公司： | 杭州中成专利事务所有限公司 33212 | 代理人： | 金祺 |
| 地址： | 310027 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种双抛片的加工方法，包括如下步骤：1)在抛光硅片B正面设置氧化层；2)选用平面大小同抛光硅片B的硅片A，对其进行单面抛光和清洗，抛光后的面为硅片A背面，另一面为硅片A正面；3)将抛光硅片B的正面和硅片A背面两两正对后进行室温键合，然后放到高温炉中进行高温处理；4)对硅片组中的硅片A正面进行单面抛光，或者对硅片组中的硅片A正面先研磨、再单面抛光；接着对所得抛光后硅片组进行清洗；5)将硅片组放到HF溶液中浸泡，直到硅片A和抛光硅片B相分离；6)将硅片A进行清洗，得双抛片。采用该方法能降低双抛硅片加工的碎片率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 双抛片 加工 方法 | ||
【主权项】：
一种双抛片的加工方法，其特征是依次包括如下步骤：1)、选用正面为抛光面的抛光硅片B，在该抛光硅片B的正面设置氧化层；2)、取作为待抛光成双抛片的硅片A，硅片A的平面大小同抛光硅片B的平面大小；将硅片A放到单面抛光机上进行抛光，然后进行抛光后清洗，抛光后的面为硅片A背面，另一面为硅片A正面；3)、使步骤1)所得的抛光硅片B的正面和步骤2)所得的硅片A背面两两正对后进行室温键合，得键合硅片组；将上述键合硅片组放到高温炉中进行高温处理，得处理后硅片组；4)、对上述处理后硅片组中的硅片A正面进行单面抛光，或者对上述处理后硅片组中的硅片A正面先进行研磨、然后再进行单面抛光，得抛光后硅片组；接着对上述抛光后硅片组进行抛光后清洗；5)、将步骤4)所得的硅片组放到HF溶液中浸泡，直到硅片A和抛光硅片B相分离；6)、将步骤5)所得的硅片A进行抛光后清洗，得双抛片。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于杭州海纳半导体有限公司，未经杭州海纳半导体有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200910154293.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
