[发明专利]一种硅铝合金的制备方法无效
| 申请号： | 200910154914.2 | 申请日： | 2009-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN101705383A | 公开（公告）日： | 2010-05-12 |
| 发明（设计）人： | 杨德仁;顾鑫;阙端麟 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | C22C1/05 | 分类号： | C22C1/05 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人： | 韩介梅 |
| 地址： | 310027*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开的硅铝合金的制备方法，步骤如下：将粒径分别为0.05mm～10mm金属硅与金属铝去油、清洁、烘干后，按质量比金属硅∶金属铝＝1∶0.5～1∶2.5混合均匀，压制成固体混合物，然后放入加热炉中，先加热至300～600℃，保温1～3h，再升温至800～1250℃，保温3～19h，将炉温降低到室温，得到硅铝合金。本发明工艺流程简单，低能耗，低成本，无污染排放，生产效率高，产率高，通过此方法提纯制得的硅铝合金，其硅含量高，混合均匀性好，致密性好。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 铝合金 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种硅铝合金的制备方法，其步骤如下：1)将粒径分别为0.05mm～10mm金属硅与金属铝去油、清洁、烘干后，按质量比金属硅∶金属铝＝1∶0.5～1∶2.5混合均匀，压制成固体混合物；2)将固体混合物放入加热炉中，加热至300～600℃，保温1～3h，然后升温至800～1250℃，保温3～19h，将炉温降低到室温，得到硅铝合金。
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