[发明专利]一价铜化合物及使用该类化合物进行化学气相沉积制备铜薄膜的方法

摘要

本发明公开了一种一价铜化合物及使用该类化合物进行化学气相沉积制备铜薄膜的方法。一价铜化合物具有式(1)所示的通式：(R¹COCHCOR²)CuL_n(1)式(1)中，n为1～2；R¹的结构式如式(2)所示，或为CH₂X¹、CH₂X¹(CHX¹)_q、NH₂、H、F、Ph中任一种；R²的结构式如式(2)或式(3)所示，或为CH₂X¹、CH₂X¹(CHX¹)_q、NH₂、H、F、Ph、CH₂X¹O、CH₂X¹(CHX¹)_qO、NH₂O中任一种；式(2)中的R³、R⁴、R⁵为CH₂X¹、CH₂X¹(CHX¹)_q、NH₂、H、F、Ph中任一种；式(3)中的R⁶、R⁷、R⁸为CH₂X¹、CH₂X¹(CHX¹)_q、NH₂、H、F、Ph中任一种；X¹为H、Ph、NH₂、F中任一种；q为1～4，L为P(O-Bu)₃或P[O-Pr]₃，Ph代表苯基，Bu代表丁基，Pr代表丙基。本发明的一价铜化合物在空气中有很好的稳定性和挥发性，适合做铜薄膜化学气相沉积前驱物；铜薄膜均匀、致密、纯度高。

主权项

1.一种一价铜化合物，其特征是具有如下式(1)所示的通式：(R¹COCHCOR²)CuL_n         (1)式(1)中，n为1～2；R¹的结构式如下述式(2)所示，或者为CH₂X¹、CH₂X¹(CHX¹)_q、NH₂、H、F、Ph中的任一种；R²的结构式如下述式(2)或下述式(3)所示，或者为CH₂X¹、CH₂X¹(CHX¹)_q、NH₂、H、F、Ph、CH₂X¹O、CH₂X¹(CHX₁)_qO、NH₂O中的任一种；式(2)中的R³、R⁴、R⁵为CH₂X¹、CH₂X¹(CHX¹)_q、NH₂、H、F、Ph中的任一种；式(3)中的R⁶、R⁷、R⁸为CH₂X¹、CH₂X¹(CHX¹)_q、NH₂、H、F、Ph中的任一种；X¹为H、Ph、NH₂、F中的任一种；q为1～4，L为P(O-Bu)₃或P[O-Pr]₃，Ph代表苯基，Bu代表丁基，Pr代表丙基。