[发明专利]具有保护层的石英玻璃坩埚及其制造方法无效
| 申请号： | 200910158377.9 | 申请日： | 2009-07-08 |
| 公开（公告）号： | CN101942693A | 公开（公告）日： | 2011-01-12 |
| 发明（设计）人： | 杨逸涵;潘敏学;邱恒德 | 申请（专利权）人： | 合晶科技股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/10 | 分类号： | C30B15/10 |
| 代理公司： | 北京市立方律师事务所 11330 | 代理人： | 张磊 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有保护层的石英玻璃坩埚的制造方法，其包括提供一石英玻璃坩埚本体；于该石英玻璃坩埚本体的内侧形成至少一第一氮氧化硅层；再于该第一氮氧化硅层上形成至少一第二氮氧化硅层；再于该第二氮氧化硅层上形成一氮化硅层，该第一氮氧化硅层和第二氮氧化硅层皆由二氧化硅(SiO2)和氮化硅(Si3N4)或氮氧化硅材料所组成，且该第二氮氧化硅层的氮化硅占第二氮氧化硅层的比例较第一氮氧化硅层的氮化硅占第一氮氧化硅层的比例多，该氮化硅层由氮化硅所组成。本发明能避免氧原子渗入硅熔汤，且藉由调整氮化硅和/或二氧化硅的量而控制各层状结构的厚度，且能增加石英玻璃坩埚的使用寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 保护层 石英玻璃 坩埚 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种具有保护层的石英玻璃坩埚的制造方法，其包括：提供一石英玻璃坩埚本体；于该石英玻璃坩埚本体的内侧形成至少一第一氮氧化硅混合层；再于该第一氮氧化硅混合层上形成至少一第二氮氧化硅混合层；再于该第二氮氧化硅混合层形成一氮化硅层，该第一氮氧化硅混合层和第二氮氧化硅混合层皆由二氧化硅和氮化硅所组成，其中该第二氮氧化硅混合层的氮化硅占第二氮氧化硅混合层的比例较第一氮氧化硅混合层的氮化硅占第一氮氧化硅混合层的比例多，该氮化硅层由氮化硅所组成。
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