[发明专利]低泄露电压电平转换电路有效
| 申请号： | 200910158539.9 | 申请日： | 2009-07-10 |
| 公开（公告）号： | CN101686048A | 公开（公告）日： | 2010-03-31 |
| 发明（设计）人： | 王光丞;陈克明;陈国基 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H03K19/0185 | 分类号： | H03K19/0185 |
| 代理公司： | 北京市德恒律师事务所 | 代理人： | 马佑平;马铁良 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于具有内部低压电源(VCCL)和外部高压电源(VCCH)的集成电路系统的电压电平转换电路，该电压电平转换电路包括：一对连接到VCCH的交叉耦合的PMOS晶体管；NMOS晶体管，其源极连接到地(VSS)，其栅极连接到在VCCL和VSS之间摆动的第一信号；以及开关器件，其连接到一对PMOS晶体管其中一个的漏极和NMOS晶体管的漏极之间，其中一对PMOS晶体管为高压晶体管，当VCCL低于预定电压电平时，开关器件关断，当VCCL高于预定电压电平时，开关器件开启。 | ||
| 搜索关键词： | 泄露 电压 电平 转换 电路 | ||
【主权项】：
1、一种用于具有内部低压电源(VCCL)和外部高压电源(VCCH)的集成电路系统的电压电平转换电路，所述电压电平转换电路包括：第一和第二PMOS晶体管，其每个的源极连接到VCCH，所述第一PMOS晶体管的栅极连接到所述第二PMOS晶体管的漏极，所述第二PMOS晶体管的栅极连接到所述第一PMOS晶体管的漏极；第一NMOS晶体管，其源极连接到地(VSS)，其栅极连接到在所述VCCL和所述VSS之间摆动的第一信号；以及第一开关器件，其连接到所述第一PMOS晶体管的漏极和所述第一NMOS晶体管的漏极之间，其中所述第一和第二PMOS晶体管都为高压晶体管，当所述VCCL低于预定电压电平时，所述第一开关器件关断，当所述VCCL高于所述预定电压电平时，所述第一开关器件开启。
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