[发明专利]具有气泡阻断环的清洗蚀刻机台无效
申请号: | 200910158699.3 | 申请日: | 2009-07-13 |
公开(公告)号: | CN101958229A | 公开(公告)日: | 2011-01-26 |
发明(设计)人: | 王家康;陈贤鸿;张宏文;吴志鸿 | 申请(专利权)人: | 弘塑科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 王雪静;逯长明 |
地址: | 中国台湾新竹*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种具有气泡阻断环的清洗蚀刻机台,为使转盘能旋转,在转盘与蚀刻机台座之间具有缝隙,蚀刻的化学气体即有通路进入马达室。为防止腐蚀性化学气体腐蚀马达及其它机件,本发明在化学气体通路上设置气泡阻断环,由氮气及纯水形成气泡,形成一道化学气体阻断环,使腐蚀性化学气体不能进入马达室而防止腐蚀,增加蚀刻机台的使用寿命。 | ||
搜索关键词: | 具有 气泡 阻断 清洗 蚀刻 机台 | ||
【主权项】:
一种具有气泡阻断环的清洗蚀刻机台,其特征在于:旋转机台转盘下的缝隙上以氮气及纯水形成气泡以隔离化学气体进入马达室而防止马达被腐蚀,至少包含:一个清洗蚀刻机台,具有蚀刻机台座,至少包含一个转盘及一个旋转马达,该转盘有真空吸着机构以吸着晶圆;一组气泡产生装置,氮气及纯水进口将氮气及纯水引入气泡环形成气泡,以形成一道化学气体阻断环;一个第一抽气排水环,将气体及纯水自抽气排水口排出;一个第二抽气排水环,将逸入的气体及纯水完全排出。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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