[发明专利]等离子体蚀刻方法和控制程序有效
| 申请号： | 200910158711.0 | 申请日： | 2009-07-03 |
| 公开（公告）号： | CN101621000A | 公开（公告）日： | 2010-01-06 |
| 发明（设计）人： | 小笠原正宏;李诚泰 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311;G05B19/04 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 | 代理人： | 龙 淳 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种等离子体蚀刻方法和控制程序，其与现有技术相比，能够抑制弓弯的产生，并能高精度地进行更精细的加工。本发明的等离子体蚀刻方法在对有机膜(102)进行蚀刻而形成被蚀刻膜(101)的掩模图案时，至少包括：第一有机膜蚀刻工序，其对有机膜(102)的一部分进行蚀刻；处理工序，其在第一有机膜蚀刻工序之后，将含硅膜(103)和有机膜(102)暴露在稀有气体的等离子体中；和第二有机膜蚀刻工序，其在处理工序之后，对有机膜(102)的残留部分进行蚀刻。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 蚀刻 方法 控制程序 | ||
【主权项】：
1.一种等离子体蚀刻方法，其使用等离子体，对从下侧起依次至少叠层有被蚀刻膜、作为所述被蚀刻膜的掩模的有机膜、和含硅膜的被处理基板进行蚀刻，该等离子体蚀刻方法的特征在于：在对所述有机膜进行蚀刻而形成所述被蚀刻膜的掩模图案时，至少包括：第一有机膜蚀刻工序，其对所述有机膜的一部分进行蚀刻；处理工序，其在所述第一有机膜蚀刻工序之后，将所述含硅膜和所述有机膜暴露在稀有气体的等离子体中；和第二有机膜蚀刻工序，其在所述处理工序之后，对所述有机膜的残留部分进行蚀刻。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
