[发明专利]多频等离子体刻蚀反应器有效
| 申请号： | 200910158947.4 | 申请日： | 2004-08-20 |
| 公开（公告）号： | CN101656200A | 公开（公告）日： | 2010-02-24 |
| 发明（设计）人： | R·丁德萨;S·M·R·萨德贾迪;F·考萨科维奇;D·特鲁瑟尔;L·李;E·伦兹;C·卢稣;M·斯利尼瓦萨恩;A·艾普勒;J·蒂兹;J·马克斯 | 申请（专利权）人： | 拉姆研究有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/311;H01L21/3065;H01J37/32;H05H1/24 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 余 刚;吴孟秋 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种多频等离子体蚀刻反应器，其中在一个真空等离子体处理舱内，通过在数个频率下激发等离子体，从而使得由数个频率所致的等离子体激发同时地导致数个不同的现象发生于等离子体中，由此用等离子体对工件进行处理。所述舱包括中央的顶电极和底电极，以及一个周围的顶电极和/或底电极装置，其或者由RF激励，或者由一个滤波器装置连接到一个参考电势上，其中该滤波器装置使得至少一个等离子体激发频率通过，但阻隔其它频率。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 刻蚀 反应器 | ||
【主权项】：
1.一种在真空等离子处理舱中利用等离子处理工件的方法，其包括采用不同频率的电能来激发等离子体从而使得由数个频率所致的等离子体的激发同时地导致数个不同的现象发生于等离子体内的步骤，其中这些现象影响入射在该工件上的等离子体的等离子体的离子能量、等离子体的离子密度和等离子体化学性质。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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