[发明专利]抗静电处理的工作台有效
| 申请号： | 200910159251.3 | 申请日： | 2009-08-10 |
| 公开（公告）号： | CN101853800A | 公开（公告）日： | 2010-10-06 |
| 发明（设计）人： | 金原南;吴尚根 | 申请（专利权）人： | 塔工程有限公司;拓普纳诺斯株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683;H01L21/68 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 顾晋伟;王春伟 |
| 地址： | 韩国庆尚*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 公开一种抗静电处理的工作台。在其上安装有基材的抗静电处理的工作台的表面上涂敷碳纳米管涂层膜。碳纳米管涂层膜的方块电阻为约105Ω/□至约109Ω/□。 | ||
| 搜索关键词： | 抗静电 处理 工作台 | ||
【主权项】：
一种工作台，其涂敷有抗静电材料并进行了抗静电处理，所述工作台包括：台基底，在所述台基底的至少一个表面上安装有晶片基材或显示器基材，所述至少一个表面由导电材料形成；和在所述台基底的所述至少一个表面上涂敷的包含碳纳米管的碳纳米管涂层膜，防止在所述基材和所述台基底之间产生静电。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
