[发明专利]多晶片设定地址的方法与结构以及应用的显示系统有效

专利信息
申请号: 200910159266.X 申请日: 2009-08-10
公开(公告)号: CN101996584A 公开(公告)日: 2011-03-30
发明(设计)人: 杨仁达;陈永隆 申请(专利权)人: 联咏科技股份有限公司
主分类号: G09G3/34 分类号: G09G3/34;H05B37/02
代理公司: 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 代理人: 刘芳
地址: 中国台湾新竹科学工*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 发明提供了一种多晶片设定地址的方法与结构以及应用的显示系统。多个晶片的每一个包括一输入使能端,一输出使能端,一数据输入端以及一时序端,其中前一级的该输出使能端连接到下一级的该输入使能端,该方法包括通过一系统进行设定使每一个该晶片的一地址是一初始地址;设定每一个该晶片的一状态为禁能;通过该系统对该些晶片的一第一个晶片的该状态设定为使能,将该第一个晶片视为一前级晶片;更新该前级晶片的该地址;使能连接于该前级晶片后的一后级晶片,其中该系统根据该前级晶片的该地址,使该前级晶片的该输出使能端输出一使能信号,以使能该后级晶片;更新该后级晶片的该地址。
搜索关键词: 多晶 设定 地址 方法 结构 以及 应用 显示 系统
【主权项】:
一种多晶片设定地址的方法,其中多个晶片分别包括一输入使能端,一输出使能端,一数据输入端以及一时序端,其中前一级的所述输出使能端连接到下一级的所述输入使能端,所述方法包括:通过一系统进行设定使每一个所述晶片的一地址是一初始地址;设定每一个所述晶片的一状态为禁能;通过所述系统对所述多个晶片的一第一个晶片的所述状态设定为使能,将所述第一个晶片视为一前级晶片;更新所述前级晶片的所述地址;使能连接于所述前级晶片后的一后级晶片;以及更新所述后级晶片的所述地址。
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