[发明专利]一种制造液晶显示器件的方法有效
申请号: | 200910159318.3 | 申请日: | 2004-12-27 |
公开(公告)号: | CN101614920A | 公开(公告)日: | 2009-12-30 |
发明(设计)人: | 苏在文 | 申请(专利权)人: | 乐金显示有限公司 |
主分类号: | G02F1/1362 | 分类号: | G02F1/1362;G03F1/00;G03F1/14 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人: | 徐金国;梁 挥 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 本发明公开一种制造液晶显示器件的方法,该方法包括:在第一基板上,在像素单元中形成栅极,在焊盘单元中形成焊盘;在第一基板之上沉积栅绝缘层,半导体层,金属层和钝化层;在钝化层之上沉积光刻胶层;通过具有透射区域,半透射区域,衍射区域和遮断区域的掩模将光照射到第一基板上,并将光刻胶层显影以形成具有至少三个不同厚度的光刻胶图案;第一次蚀刻在焊盘之上的栅绝缘层,半导体层,金属层和钝化层,以展现焊盘;第一次灰化光刻胶图案并第二次蚀刻焊盘和像素单元中的钝化层和金属层;第二次灰化光刻胶图案并第三次蚀刻栅极之上的钝化层;第四次蚀刻栅极之上的金属层和部分半导体层,以形成源极和漏极;及形成像素电极。 | ||
搜索关键词: | 一种 制造 液晶显示 器件 方法 | ||
【主权项】:
1.一种制造液晶显示器件的方法,包括:在第一基板上,在像素单元中形成栅极,在焊盘单元中形成焊盘;在第一基板之上沉积栅绝缘层,半导体层,金属层和钝化层;在所述钝化层之上沉积光刻胶层;通过具有透射区域,半透射区域,衍射区域和遮断区域的掩模将光照射到第一基板上,并将所述光刻胶层显影以形成具有至少三个不同厚度的光刻胶图案;第一次蚀刻在所述焊盘之上的栅绝缘层,半导体层,金属层和钝化层,以展现焊盘;第一次灰化所述光刻胶图案并第二次蚀刻所述焊盘和像素单元中的钝化层和金属层;第二次灰化所述光刻胶图案并第三次蚀刻所述栅极之上的钝化层;第四次蚀刻所述栅极之上的金属层和部分半导体层,以形成源极和漏极;以及形成像素电极。
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