[发明专利]包括发光元件的器件有效
| 申请号： | 200910159447.2 | 申请日： | 2006-04-06 |
| 公开（公告）号： | CN101599504A | 公开（公告）日： | 2009-12-09 |
| 发明（设计）人： | 早川昌彦;吉富修平;德丸亮 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L27/32 | 分类号： | H01L27/32;G09G3/32 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 项 丹 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及包括发光元件的器件，提供了一种器件，包括：第一发光元件；第二发光元件；将恒定的电流供给给所述第一发光元件的恒流电源；放大器；衬底；以及相对衬底；其中，所述第一发光元件的第一电极与所述放大器的输入端子电连接，所述第二发光元件的第一电极与所述放大器的输出端子电连接，所述第一发光元件的第二电极和所述第二发光元件的第二电极保持恒定的电位，所述第一发光元件和所述第二发光元件各具有形成在所述第一电极和所述第二电极之间的第一层和第二层，所述第一层含有有机化合物和无机化合物，所述第二层含有发光物质，并且所述第一发光元件、所述第二发光元件、所述恒流电源、以及所述放大器置于所述衬底与所述相对衬底之间。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 发光 元件 器件 | ||
【主权项】：
1.一种器件，包括：第一发光元件；第二发光元件；将恒定的电流供给给所述第一发光元件的恒流电源；放大器；衬底；以及相对衬底；其中，所述第一发光元件的第一电极与所述放大器的输入端子电连接，所述第二发光元件的第一电极与所述放大器的输出端子电连接，所述第一发光元件的第二电极和所述第二发光元件的第二电极保持恒定的电位，所述第一发光元件和所述第二发光元件各具有形成在所述第一电极和所述第二电极之间的第一层和第二层，所述第一层含有有机化合物和无机化合物，所述第二层含有发光物质，并且所述第一发光元件、所述第二发光元件、所述恒流电源、以及所述放大器置于所述衬底与所述相对衬底之间。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
