[发明专利]晶片处理方法

摘要

本发明提供一种晶片处理方法，在制造由硅等高价的半导体构成的半导体器件时，该方法能够减少半导体的废弃量。晶片(W)在表面(W1)上形成有器件(D)，从背面(W2)侧照射相对于该晶片(W)具有透射性的激光(31a)，并将激光(31a)会聚于预定深度，从而在晶片(W)的表面(W1)侧和背面(W2)侧之间形成变质层(L)，将晶片(W)分离成比变质层(L)靠背面侧的背面侧晶片和比变质层(L)靠表面侧的表面侧晶片，通过将残留在表面侧晶片上的变质层除去以将表面侧晶片精加工至预定厚度，能够使构成表面侧晶片的器件成为产品，并能够对背面侧晶片进行再利用。

主权项

1.一种晶片处理方法，其是对在表面侧形成有多个器件的晶片进行处理的晶片处理方法，其特征在于，上述晶片处理方法包括以下工序：变质层形成工序，从晶片的背面侧照射相对于上述晶片具有透射性的波长的激光，并将上述激光的聚光点对准自上述背面侧起预定深度的位置，从而在上述晶片的表面侧和上述背面侧之间形成变质层；分离工序，将上述晶片分离成比上述变质层靠背面侧的背面侧晶片、和比上述变质层靠表面侧的表面侧晶片；以及精加工工序，除去残留在上述表面侧晶片上的变质层，并将上述表面侧晶片精加工至预定的厚度。