[发明专利]氧化铟锡层的形成有效
| 申请号： | 200910160328.9 | 申请日： | 2009-08-07 |
| 公开（公告）号： | CN101645336A | 公开（公告）日： | 2010-02-10 |
| 发明（设计）人： | 黄丽丽;钟志国 | 申请（专利权）人： | 苹果公司 |
| 主分类号： | H01B13/00 | 分类号： | H01B13/00;H01B5/14;C23C14/34;C23C14/58;C23C14/06;B32B17/10;G06F3/041;G06F3/044 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 张 阳 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及氧化铟锡(ITO)层的形成。本发明公开了用于在基片之上形成结晶氧化铟锡层的系统，用于对沉积在基片上的材料层进行退火的系统，以及材料的叠层。通过将材料加热至较高温度而在基片之上形成诸如结晶氧化铟锡的材料层，同时限制基片的温度增加以使得基片的温度不超过预定温度。例如，可以在基片之上沉积包括非晶ITO的层，并且可以在使用辐射在表面退火工艺中加热该非晶层同时限制基片温度。另一种工艺则可以让电流通过该非晶ITO。在另一种工艺中，让基片快速通过高温沉积室，由此沉积一部分非晶ITO层，同时限制基片的温度增加。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化 铟锡层 形成 | ||
【主权项】：
1.一种用于在基片之上形成结晶氧化铟锡(ITO)层的系统，所述系统包括：加热装置，用于将ITO加热至较高温度以形成结晶ITO层；以及限温装置，用于在结晶ITO层的形成过程中限制基片的温度增加。
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