[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 200910160557.0 | 申请日： | 2009-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN101640220A | 公开（公告）日： | 2010-02-03 |
| 发明（设计）人： | 山崎舜平;宫入秀和;宫永昭治;秋元健吾;白石康次郎 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/06;H01L29/36;H01L27/02;H01L21/34;G02F1/1368 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 侯颖媖 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的课题在于提供包括电特性优良且可靠性高的薄膜晶体管的半导体装置及没有不均匀性地制造该半导体装置的方法。本发明的要旨在于使用包含In、Ga及Zn的氧化物半导体膜作为半导体层，并包括在半导体层和源电极层及漏电极层之间设置有缓冲层的反交错型(底栅结构)的薄膜晶体管。通过在源电极层及漏电极层和半导体层之间意图性地设置载流子浓度比半导体层高的包含In、Ga及Zn的缓冲层，形成欧姆接触。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，包括：薄膜晶体管，包括：栅电极；覆盖所述栅电极的栅极绝缘膜；隔着所述栅极绝缘膜的所述栅电极上的半导体层；与所述半导体层的沟道形成区重叠的区域中的沟道保护层；所述半导体层上的一对缓冲层；以及所述一对缓冲层上的源电极层及漏电极层，其中，所述半导体层包括氧化物半导体，且所述一对缓冲层包括包含铟、镓及锌的氧化物半导体，并且，所述一对缓冲层的载流子浓度比所述半导体层的载流子浓度高，并且，所述半导体层通过所述一对缓冲层电连接到所述源电极层及漏电极层。
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