[发明专利]氮化物半导体结构及其制造方法有效
| 申请号： | 200910160715.2 | 申请日： | 2009-07-17 |
| 公开（公告）号： | CN101958375A | 公开（公告）日： | 2011-01-26 |
| 发明（设计）人： | 郭义德;林素芳;郭威宏;刘柏均;纪东炜;赵主立;蔡政达 | 申请（专利权）人： | 财团法人工业技术研究院 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01S5/30;H01L21/20 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 邱军 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种氮化物半导体基板及其制造方法，其中的氮化物半导体基板包括外延基板、氮化物柱层、氮化物半导体层及掩模层，其中氮化物柱层是由数个图案化排列的第一柱和数个图案化排列的第二柱所构成。氮化物柱层形成于外延基板上，第二柱的横截面宽度小于第一柱的横截面宽度，第二柱与第二柱之间的距离大于第一柱与第一柱之间的距离。掩模层则覆盖在第一柱、第二柱和外延基板的表面。氮化物半导体层则形成于氮化物柱层上。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种氮化物半导体基板，其特征在于：该氮化物半导体基板包括：外延基板；氮化物柱层，形成于该外延基板上，其中该氮化物柱层包括：多个图案化排列的第一柱；以及多个图案化排列的第二柱，形成于该多个图案化排列的第一柱上，其中各该第二柱的横截面宽度小于各该第一柱的横截面宽度，且各该第二柱之间的距离大于等于各该第一柱之间的距离；氮化物半导体层，形成于该氮化物柱层上；以及掩模层，覆盖在该第一柱、该第二柱与该外延基板的表面。
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