[发明专利]一种精细调控单晶SiC低维纳米结构的方法无效
| 申请号： | 200910160764.6 | 申请日： | 2009-07-17 |
| 公开（公告）号： | CN101649490A | 公开（公告）日： | 2010-02-17 |
| 发明（设计）人： | 杨为佑;王华涛;谢志鹏;安立楠 | 申请（专利权）人： | 宁波工程学院;清华大学;安立楠 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B29/62;C01B31/36 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 315016浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 一种精细调控单晶SiC低维纳米结构的方法，其包括以下具体步骤：(1)聚合物前驱体于260℃保温30min热交联固化，然后球磨粉碎；(2)C基板0.1～0.2mol/L Fe(NO3)3或Co(NO3)2催化剂乙醇溶液中浸渍5～10s，取出后自然晾干；(3)将粉碎得到的粉末和浸渍处理的C基板置于Al2O3坩埚中，(4)将Al2O3坩埚置于气氛烧结炉中，在Ar气氛保护下于1550℃进行高温热解10～120min，同时改变保护气氛的压力；(5)随炉冷却。本发明通过改变保护气氛压力，从而改变纳米结构生长所需气源的浓度，实现单晶SiC低维纳米结构的精细调控和设计。本发明可以成为纳米结构精细调控的一种普适方法，对于纳米结构在光电等领域的实际应用具有重要的意义和价值。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 精细 调控 sic 纳米 结构 方法 | ||
【主权项】：
1、一种精细调控单晶SiC低维纳米结构的方法，其包括以下具体步骤：1)聚合物前驱体在气氛烧结炉中于260℃保温30min热交联固化，然后球磨粉碎；2)C基板在0.1～0.2mol/L Fe(NO3)3或Co(NO3)2催化剂乙醇溶液中浸渍5～10s，取出后自然晾干；3)将粉碎得到的粉末和浸渍处理的C基板置于Al2O3坩埚中；4)将Al2O3坩埚置于气氛烧结炉中，在Ar气氛保护下于1550℃进行高温热解10～120min，同时改变保护气氛的压力；5)随炉冷却。
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