[发明专利]一种定向生长SiC单晶纳米线阵列的方法无效
| 申请号： | 200910160766.5 | 申请日： | 2009-07-17 |
| 公开（公告）号： | CN101649491A | 公开（公告）日： | 2010-02-17 |
| 发明（设计）人： | 杨为佑;谢志鹏;王华涛;安立楠 | 申请（专利权）人： | 宁波工程学院;清华大学;安立楠 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B29/62;C01B31/36 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 315016浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 一种定向生长单晶SiC纳米线阵列的新方法，其包括以下具体步骤：(1)聚合物前驱体于260℃保温30min热交联固化，然后球磨粉碎；(2)SiC单晶片在0.1～0.2mol/LFe(NO3)3或Co(NO3)2乙醇溶液中浸渍5～10s，取出后自然晾干；(3)将粉碎得到的粉末和浸渍处理的SiC基片置于Al2O3坩埚中；(4)将Al2O3坩埚置于气氛烧结炉中，在Ar气氛保护下于1350～1550℃范围内进行高温热解，保温5～120min；(5)随炉冷却至室温。与现有采用模板法定向生长SiC纳米结构不同，这种新方法通过SiC单晶片晶格诱导单晶SiC纳米结构大面积定向生长，并可免除后续去除和分离模板的困难和问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 定向 生长 sic 纳米 阵列 方法 | ||
【主权项】：
1、一种定向生长SiC单晶纳米线阵列的新方法，其包括以下具体步骤：1)聚合物前驱体在气氛烧结炉中于260℃保温30min热交联固化，然后球磨粉碎；2)SiC单晶片在0.1～0.2mol/L Fe(NO3)3或Co(NO3)2乙醇溶液中浸渍5～10s；3)将粉碎得到的粉末和浸渍处理的SiC基片置于Al2O3坩埚中；4)将Al2O3坩埚置于气氛烧结炉中，在Ar气氛保护下于1300～1600℃进行高温热解，保温5～120min；5)随炉冷却至室温。
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