[发明专利]溅射装置无效
| 申请号： | 200910160964.1 | 申请日： | 2009-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN101638773A | 公开（公告）日： | 2010-02-03 |
| 发明（设计）人： | 仲俣祐子 | 申请（专利权）人： | 富士电机控股株式会社 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 | 代理人： | 龙 淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及一种溅射装置，其若干磁性体包括位于靶材支承体的中心部的第1磁性体、以及与第1磁性体相比位于靶材支承体的外周侧的第2磁性体，第2磁性体在靶材支承体的与基板支承体相反侧的面内可以在第1位置和第2位置之间自由移动，上述第1位置是不对基板实施成膜处理时的位置，上述第2位置与所述第1位置相比位于上述靶材支承体的中心侧，是对基板实施成膜处理时的位置。根据本发明的溅射装置，与预溅射时相比，能够缩小主溅射时的侵蚀区域，并且在主溅射时难以剥离在预溅射时堆积在非侵蚀区域中的靶材粒子，这样就能抑制该粒子堆积在基板上。 | ||
| 搜索关键词： | 溅射 装置 | ||
【主权项】：
1、一种溅射装置，其具备基板支承体、与所述基板支承体离开地平行配置的靶材支承体、以及在所述靶材支承体的与所述基板支承体相反侧配置的多个磁性体，其特征在于：所述多个磁性体包括位于所述靶材支承体的中心部的第1磁性体、和与所述第1磁性体相比位于所述靶材支承体的外周侧的第2磁性体，所述第2磁性体在所述靶材支承体的与所述基板支承体相反侧的面内可以在第1位置和第2位置之间自由移动，所述第1位置是不对基板实施成膜处理时的位置，所述第2位置是与所述第1位置相比位于所述靶材支承体的中心侧，是对基板实施成膜处理时的位置。
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