[发明专利]积层陶瓷电容器

摘要

在积层陶瓷电容器中，即使介电陶瓷层的厚度薄至低于1μm，仍可以维持高绝缘性和寿命特性。设介电陶瓷层(2)的厚度为t，设构成介电陶瓷层(2)的介电陶瓷的晶粒的平均粒径为r时，由N＝t/r-1定义的平均晶界个数N为0＜N≤2，并且，使介电陶瓷的组成为：以ABO₃(A是Ba，或者是Ba以及选自Sr和Ca中的至少一种。B是Ti，或者是Ti以及选自Zr和Hf中的至少一种)所代表的钙钛矿型化合物作为主要成分，并且以Mn和V作为副成分，相对于所述主成分100摩尔份，分别含有Mn为0.05～0.75摩尔份，V为0.05～0.75摩尔份，Mn和V的合计为0.10～0.80摩尔份。

主权项

1.一种积层陶瓷电容器，其中，具有电容器主体和多个外部电极，该电容器主体由具有晶粒和晶界的介电陶瓷所构成的被层叠的多个介电陶瓷层，和沿着所述介电陶瓷层间的特定界面形成的多个内部电极构成；所述多个外部电极形成于所述电容器主体的外表面上的相互不同的位置，且与所述内部电极的特定的电极电连接，在设位于所述内部电极的积层方向上相邻的电极之间的所述介电陶瓷层的厚度为t，且设所述介电陶瓷的所述晶粒的平均粒径为r时，所述厚度t低于1μm，并且，由N＝t/r-1定义的平均晶界个数N为0＜N≤2，其中，t的单位和r的单位彼此相同，所述介电陶瓷具有如下组成：以ABO3所代表的钙钛矿型化合物作为主要成分，其中，A是Ba，或者是Ba以及选自Sr和Ca中的至少一种，B是Ti，或者是Ti以及选自Zr和Hf中的至少一种，并且，含有Mn和V作为副成分，相对于所述主成分100摩尔份，Mn的含量为0.05摩尔份以上且0.75摩尔份以下，V的含量为0.05摩尔份以上且0.75摩尔份以下，Mn和V的合计含量为0.10摩尔份以上且0.80摩尔份以下。