[发明专利]将多层/多输入/多输出(MLMIMO)模型用于金属栅结构

摘要

本发明公开了将多层/多输入/多输出(MLMIMO)模型用于金属栅结构。本发明提供了一种使用包括一个或多个测量工序、一个或多个多蚀刻(P-E)顺序、和一个或多个金属栅蚀刻顺序的多层处理顺序和多层/多输入/多输出(MLMIMO)模型和库来处理晶片的方法。MLMIMO处理控制使用多层与/或多处理步骤之间动态相互作用行为建模。多层与/或多处理步骤可以与线、沟、通孔、间隔、接触以及栅结构的形成相关，可以使用各向同性与/或各向异性的蚀刻处理来形成线、沟、通孔、间隔、接触以及栅结构。

主权项

一种使用多层/多输入/多输出(MLMIMO)模型的方法，包括：接收第一组图案化的晶片以及相关的晶片数据，每个所述图案化的晶片具有第一图案化的软掩模层和多个附加的层，所述第一图案化的软掩模层包括多个金属栅相关的软掩模特征以及至少一个第一周期评估结构，所述晶片数据包括用于所述第一图案化的软掩模层中的至少一个第一周期评估结构的实时集成计量(IM)数据；建立第一多层多步(MLMS)处理顺序，其中，所述第一MLMS处理顺序包括第一组多蚀刻工序并被构造为使用所述第一图案化的软掩模层在第一组附加的层中建立第一栅宽度控制图案；使用所述第一MLMS处理顺序形成第二组图案化的晶片；使用用于所述第一MLMS处理顺序的第一多层/多输入/多输出(MLMILO)模型形成用于所述第一MLMS处理顺序的第一模拟数据，其中，所述第一MLMILO模型包括第一数量(Na)的第一控制变量(CV1a，CV2a...CVNa)、第一数量(Ma)的第一操纵变量(MV1a，MV2a...MVMa)以及第一数量(La)的第一干扰变量(DV1a，DV2a...DVLa)，其中，(La，Ma和Na)是大于1的整数；建立第二MLMS处理顺序，其中，所述第二MLMS处理顺序被构造为通过使用所述第一栅宽度控制图案对第二组附加的层进行图案化来形成金属栅结构的第一控制图案；使用所述第二MLMS处理顺序形成第三组图案化的晶片；使用用于所述第二MLMS处理顺序的第二MLMILO模型形成用于所述第二MLMS处理顺序的第二模拟数据，其中，所述第二MLMILO模型包括第二数量(Nb)的第二控制变量(CV1b，CV2b...CVNb)、第二数量(Mb)的第二操纵变量(MV1b，MV2b...MVMb)以及第二数量(Lb)的第二干扰变量(DV1b，DV2b...DVLb)，其中，(Lb，Mb和Nb)是大于1的整数；获得用于所述第三组图案化的晶片中的至少一个的评估数据；当所述评估数据小于第一金属栅限制时，将所述第三组图案化的晶片识别为被验证的晶片；并且当所述评估数据不小于所述第一金属栅限制时，执行校正动作。