[发明专利]用于存储器件的金属结构有效
| 申请号： | 200910162397.3 | 申请日： | 2009-08-13 |
| 公开（公告）号： | CN101814504A | 公开（公告）日： | 2010-08-25 |
| 发明（设计）人： | 廖忠志 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/11 | 分类号： | H01L27/11;H01L23/528;H01L21/8244 |
| 代理公司： | 北京市德恒律师事务所 11306 | 代理人： | 马佑平;马铁良 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体器件，包括衬底，形成在衬底内的静态随机存储器(SRAM)晶胞，形成在衬底之上的第一金属层，第一金属层提供到SRAM晶胞的局域互连，形成在第一金属层之上的第二金属层，第二金属层包括：每个具有第一厚度的位线和互补位线，以及置于位线和互补位线之间的Vcc线，以及形成在第二金属层之上的第三金属层，第三金属层包括具有大于第一厚度的第二厚度的字线。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 存储 器件 金属结构 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：衬底；形成于所述衬底内的静态随机存储器(SRAM)晶胞；形成在所述衬底之上的第一金属层，所述第一金属层提供到所述SRAM晶胞的局域互连；形成在所述第一金属层之上的第二金属层，所述第二金属层包括：位线和互补位线，每个具有第一厚度；以及置于所述位线和所述互补位线之间的Vcc线；以及形成在所述第二金属层之上的第三金属层，所述第三金属层包括具有大于所述第一厚度的第二厚度的字线。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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