[发明专利]用于半导体衬底掺杂剂活化的RTP尖峰退火有效
| 申请号： | 200910162398.8 | 申请日： | 2009-08-13 |
| 公开（公告）号： | CN101789365A | 公开（公告）日： | 2010-07-28 |
| 发明（设计）人： | 林金明;杨宗儒;杨棋铭 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/268 | 分类号： | H01L21/268;H01L21/00 |
| 代理公司： | 北京市德恒律师事务所 11306 | 代理人： | 马佑平;马铁良 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种具有多个有源器件构图的半导体衬底。有源器件构图中至少一些包括掺杂区域。衬底具有多个表面区域，包括有源器件构图和非构图区域，其对于近红外波长的光分别具有不同的反射率。确定在近红外波长的最大反射率和在近红外波长的最小反射率之间的第一差值。确定第二红外波长，对于它的最大反射率和最小反射率之间的第二差值基本小于在近红外波长的第一差值。在衬底上使用提供第二波长的光的第二光源进行快速热处理(RTP)尖峰退火掺杂剂活化步骤。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 半导体 衬底 掺杂 活化 rtp 尖峰 退火 | ||
【主权项】：
一种方法，包括：提供半导体衬底，其具有多个形成在其上或其中的构图，所述构图中至少一些包括掺杂区域，所述衬底具有多个表面区域，包括构图和非构图区域，其对于近红外波长的光分别具有不同的反射率；以及在衬底上使用远红外光进行快速热处理(RTP)尖峰退火掺杂剂活化步骤。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
