[发明专利]具有浅沟槽结构的沟槽MOSFET及其制造方法有效
申请号: | 200910163120.2 | 申请日: | 2009-08-17 |
公开(公告)号: | CN101997030A | 公开(公告)日: | 2011-03-30 |
发明(设计)人: | 谢福渊 | 申请(专利权)人: | 力士科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L29/78 | 分类号: | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/36;H01L21/336 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 王新华 |
地址: | 中国台湾台北*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明公开了一种具有浅沟槽结构的沟槽MOSFET与其制造方法,与现有技术中的沟槽MOSFET相比,根据本发明的具有浅沟槽结构的沟槽MOSFET具有更小的栅电荷和更小的源漏电阻,同时,维持了器件所要求的击穿电压。在一些优选的实施例中,与栅金属相连的沟槽栅中的导电区域的上表面高于有源区沟槽栅中的导电区域的上表面,这样,进一步避免了在栅接触沟槽的刻蚀过程中可能出现的过刻蚀现象。 | ||
搜索关键词: | 具有 沟槽 结构 mosfet 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种具有浅沟槽结构的沟槽MOSFET,包括:第一导电类型的衬底;第一导电类型的外延层,该外延层位于所述衬底之上,并且该外延层的多数载流子浓度低于所述衬底;在所述外延层中的多个浅沟槽,包括多个第一浅沟槽和至少一个第二浅沟槽,该第一浅沟槽位于有源区,用于形成有源区沟槽栅,该第二浅沟槽用于形成与栅金属相连的沟槽栅;第一绝缘层,衬于所述多个浅沟槽中;第一导电类型的掺杂一区,位于所述外延层中,包围所述多个浅沟槽的底部,并且该掺杂一区的多数载流子浓度高于所述外延层;导电区域,位于所述多个浅沟槽中,且靠近所述第一绝缘层;第二导电类型的体区,该体区位于所述外延层的上部分,且所述第二导电类型与所述第一导电类型相反;第一导电类型的源区,位于有源区,且位于所述体区的上部分,所述源区的多数载流子浓度高于所述外延层;第二绝缘层,位于所述外延层表面之上;沟槽源体接触区,形成于源体接触沟槽中,穿过所述第二绝缘层、所述源区,并延伸入所述体区;沟槽栅接触区,形成于栅接触沟槽中,穿过所述第二绝缘层并延伸入所述第二浅沟槽中的导电区域;金属场板,覆盖在器件终端区第二导电类型的体区的上方,并覆盖终端区的部分外延层区域,该金属场板同时也用作栅金属层。
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