[发明专利]半导体元件、半导体器件以及其制作方法有效
| 申请号： | 200910163535.X | 申请日： | 2004-04-22 |
| 公开（公告）号： | CN101673769A | 公开（公告）日： | 2010-03-17 |
| 发明（设计）人： | 石川明 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/78;H01L29/417;H01L27/02;H01L21/336;H01L21/28;H01L21/82 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 朱海煜;刘春元 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的名称是“半导体元件、半导体器件以及其制作方法”。本发明的目的是提供制作有微细结构的半导体元件；以及该微细结构的半导体元件被高集成化了的半导体器件的方法，该方法克服了由于定位精度；缩小投影曝光的加工技术的精度；抗蚀膜掩膜的完成尺寸；以及蚀刻技术引起的成品率问题。本发明在制作具有微细结构的半导体元件中，具有以下特征：形成覆盖栅电极的绝缘膜；并使源区和漏区暴露出来；在其上形成导电膜；在该导电膜上涂敷抗蚀膜以形成膜的厚度不同的抗蚀膜，将该整个抗蚀膜曝光并执行显像，或蚀刻该整个抗蚀膜以形成抗蚀膜掩膜；使用该抗蚀膜掩膜蚀刻导电膜以形成源电极和漏电极。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 半导体器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体元件，包括：具有源区、漏区以及沟道形成区的半导体区域；栅电极；栅绝缘膜；连接所述半导体区域和源电极及漏电极的接触部分；以及覆盖所述栅电极的绝缘膜，其中，所述沟道形成区域和所述接触部分之间的距离是0.2μm-0.5μm。
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