[发明专利]形成发光二极管装置的方法有效
| 申请号： | 200910163587.7 | 申请日： | 2009-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN101667615A | 公开（公告）日： | 2010-03-10 |
| 发明（设计）人： | 陈鼎元;余振华;邱文智 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 姜 燕;陈 晨 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种形成发光二极管装置的方法。该方法包含：形成一发光二极管结构于一第一基底之上。将一部分的该第一基底转换成一孔洞层，以及形成一导电基底于与该第一基底相反侧的该发光二极管结构之上。沿着该孔洞层切割，以将该第一基底由该发光二极管结构分离。本发明可在固定基底尺寸的前提下，达到增加该发光二极管装置的发光效率的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 发光二极管 装置 方法 | ||
【主权项】：
1.一种形成发光二极管装置的方法，包含：提供一第一基底；形成一发光二极管结构于该第一基底之上；在形成该发光二极管结构后，形成一孔洞层于该第一基底之上；形成一导电基底于该发光二极管结构之上；以及沿着该孔洞层将该发光二极管结构由该第一基底上分离。
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