[发明专利]有机电致发光装置及其制造方法、电子设备无效
申请号: | 200910164760.5 | 申请日: | 2009-07-22 |
公开(公告)号: | CN101635306A | 公开(公告)日: | 2010-01-27 |
发明(设计)人: | 林建二 | 申请(专利权)人: | 精工爱普生株式会社 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L23/29;H01L21/56 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人: | 雒运朴;李 伟 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种具备耐久性得以提高的密封成且实现了高可靠性的有机EL装置及其制造方法和电子设备。该有机EL装置具有:元件基板(20A);在一对电极之间夹持有机发光层(12),被配置在元件基板(20A)上的多个发光元件(21);至少覆盖多个发光元件(21)而设置的有机缓冲层(18);和至少覆盖有机缓冲层(18)而设置的阻气层(19);阻气层(19)具有含有含氮的硅化合物的第一阻气层(19a)、与形成材料中含有第一阻气层(19a)的形成材料的氧化物且比第一阻气层(19a)薄的第二阻气层(19b)交替层叠而成的结构,第一阻气层(19a)及第二阻气层(19b)分别形成2层以上。 | ||
搜索关键词: | 有机 电致发光 装置 及其 制造 方法 电子设备 | ||
【主权项】:
1.一种有机电致发光装置,其特征在于,具备:基板;在一对电极之间夹持有机发光层,被配置在所述基板上的多个发光元件;被设置成覆盖所述多个发光元件的有机缓冲层;和被设置成覆盖所述有机缓冲层的阻气层;所述阻气层具有含有含氮的硅化合物的第一无机膜、与形成材料中含有所述第一无机膜的形成材料的氧化物且比所述第一无机膜薄的第二无机膜交替层叠而成的结构,所述第一无机膜及所述第二无机膜分别形成2层以上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的