[发明专利]一种提高FeNi/AlOx/NiFe/FeMn自旋阀结构多层膜结构中偏置场稳定性的方法

摘要

一种提高FeNi/AlOx/NiFe/FeMn自旋阀结构多层膜结构中偏置场稳定性的方法，属磁电子学和磁记录技术领域。一种提高磁性多层膜结构中偏置场稳定性的方法，属磁电子学和磁记录技术领域。它包括以下步骤：(1)、沉积制作FeNi/AlOx/NiFe/FeMn自旋阀结构多层膜；(2)、利用聚焦镓离子工作站作为离子辐照设备，进行离子辐照改性，离子辐照的剂量为5×1014ions/cm2，离子束能量为30keV，离子束流为1nA。本方法可应用于由磁性多层膜构成的巨磁阻电阻传感器、磁性随机存取存储器、磁记录器件等磁敏感器件中的磁敏感单元，具有方法简单、效果好等优点。

主权项

一种提高FeNi/AlOx/NiFe/FeMn自旋阀结构多层膜结构中偏置场稳定性的方法，包括以下步骤：(1)、利用高真空磁控溅射设备在经过常规方法清洗的1mm厚的单晶硅衬底上依次沉积厚度为3nm的下部缓冲层Ta，厚度为10nm的FeNi铁磁层，厚度为1nm的AlOx层，厚度为10nm的NiFe层，厚度为10nm的FeMn和厚度为13nm的保护层Ta，上述磁性薄膜的生长条件：备底真空：5×10-7Pa，溅射用高纯度氩气气压：7×10-2Pa，溅射功率：120W，样品架旋转速率：20rpm，生长温度：室温，生长速率：0.03～0.12nm/s，在沉积时，施加200Oe平面诱导磁场，方向平行于膜面方向；(2)、沉积好的磁性薄膜采用聚焦离子束工作站进行辐照改性，离子辐照的剂量为5×1014ions/cm2，离子束能量为30keV，离子束流为1nA。