[发明专利]图像传感器及其制造方法无效

专利信息
申请号: 200910164922.5 申请日: 2009-07-29
公开(公告)号: CN101640213A 公开(公告)日: 2010-02-03
发明(设计)人: 金兑圭 申请(专利权)人: 东部高科股份有限公司
主分类号: H01L27/146 分类号: H01L27/146;H01L31/102;H01L31/101;H01L31/0224;H01L23/52;H01L21/82;H01L31/18;H01L21/768
代理公司: 隆天国际知识产权代理有限公司 代理人: 张浴月;张志杰
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要: 提供了一种图像传感器及其制造方法。该图像传感器包括:半导体衬底、层间介电层、互连件、图像感测单元、穿入图像感测单元和层间介电层的通孔以及底部电极。半导体衬底包含读出电路。层间介电层设置于半导体衬底上。互连件设置于层间介电层中并且电连接到所述读出电路。图像感测单元设置于层间介电层上并且包含堆叠的第一杂质区域和第二杂质区域。通孔穿入图像感测单元和层间介电层以暴露互连件。底部电极设置于通孔中以电连接互连件和图像感测单元的第一杂质区域。
搜索关键词: 图像传感器 及其 制造 方法
【主权项】:
1.一种图像传感器,包括:半导体衬底,包含有读出电路;层间介电层,设置于所述半导体衬底上;互连件,设置于所述层间介电层中并且电连接到所述读出电路;图像感测单元,设置于所述层间介电层上并且包含有堆叠的第一杂质区域和第二杂质区域;通孔,穿入所述图像感测单元和所述层间介电层,以暴露所述互连件;以及底部电极,设置于所述通孔中,以将所述互连件和所述图像感测单元的所述第一杂质区域电连接。
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