[发明专利]电性隔离的栅极二极管非挥发存储器有效
申请号: | 200910164981.2 | 申请日: | 2009-08-05 |
公开(公告)号: | CN101651143A | 公开(公告)日: | 2010-02-17 |
发明(设计)人: | 欧天凡;蔡文哲;黄竣祥 | 申请(专利权)人: | 旺宏电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/115 | 分类号: | H01L27/115;H01L21/8247 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 汤保平 |
地址: | 台湾省新竹*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种栅极二极管非挥发存储单元,其具有一电荷储存结构,包含一二极管结构及一额外的栅极终端。相邻的栅极二极管非挥发存储单元之间具有电性隔离。实施例包含个别存储单元、该种存储单元的阵列、操作该存储单元或该存储单元阵列的方法、以及其制造方法。 | ||
搜索关键词: | 隔离 栅极 二极管 挥发 存储器 | ||
【主权项】:
1、一种存储元件集成电路,包含:一电荷储存结构;一个或多个储存介电结构,其至少部分位于该电荷储存结构与一二极管结构之间,且至少部分位于该电荷储存结构与一栅极电压源之间;该二极管结构中具有一第一节点与一第二节点,其是由一接合所分隔,该接合由该电荷储存结构及该一个或多个储存介电结构所覆盖,该二极管结构具有一截面,在其中该第二节点具有相对部分其由储存在一个或多个隔离电荷储存结构内的电荷而与相邻资料储存元件的二极管结构电性隔离,该一个或多个隔离电荷储存结构位于该二极管结构的该第二节点与该相邻资料储存元件之间。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的