[发明专利]电性隔离的栅极二极管非挥发存储器有效

专利信息
申请号: 200910164981.2 申请日: 2009-08-05
公开(公告)号: CN101651143A 公开(公告)日: 2010-02-17
发明(设计)人: 欧天凡;蔡文哲;黄竣祥 申请(专利权)人: 旺宏电子股份有限公司
主分类号: H01L27/115 分类号: H01L27/115;H01L21/8247
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 代理人: 汤保平
地址: 台湾省新竹*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 一种栅极二极管非挥发存储单元,其具有一电荷储存结构,包含一二极管结构及一额外的栅极终端。相邻的栅极二极管非挥发存储单元之间具有电性隔离。实施例包含个别存储单元、该种存储单元的阵列、操作该存储单元或该存储单元阵列的方法、以及其制造方法。
搜索关键词: 隔离 栅极 二极管 挥发 存储器
【主权项】:
1、一种存储元件集成电路,包含:一电荷储存结构;一个或多个储存介电结构,其至少部分位于该电荷储存结构与一二极管结构之间,且至少部分位于该电荷储存结构与一栅极电压源之间;该二极管结构中具有一第一节点与一第二节点,其是由一接合所分隔,该接合由该电荷储存结构及该一个或多个储存介电结构所覆盖,该二极管结构具有一截面,在其中该第二节点具有相对部分其由储存在一个或多个隔离电荷储存结构内的电荷而与相邻资料储存元件的二极管结构电性隔离,该一个或多个隔离电荷储存结构位于该二极管结构的该第二节点与该相邻资料储存元件之间。
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