[发明专利]基板处理控制方法

摘要

本发明提供一种基板处理控制方法，其在基板具有2种微小构造的情况下，也能够严格地控制微小构造中的形状的尺寸。该基板处理控制方法，针对存储单元(83)的每个CD值，使用RCWA计算得到来自存储单元(83)的反射率的光谱，并且使用标量分析计算得到来自逻辑部(82)的反射率的光谱，将这两个反射率的光谱叠加，针对存储单元(83)的每个CD值得到参考光谱数据，在蚀刻中，基于来自存储单元(83)和逻辑部(82)的反射光，计算出实测光谱数据，将与实测光谱数据基本一致的参考光谱数据的CD值作为存储单元(83)的测定得出的CD值，在该测定得出的CD值达到期望值的情况下，结束蚀刻。

主权项

1.一种基板处理控制方法，在对表面上形成有第一微小构造和第二微小构造的基板实施规定的基板处理的基板处理装置中，控制所述规定的基板处理，其中，第一微小构造具有照射的光的波长以下的尺寸的形状，第二微小构造具有照射的光的波长以上的尺寸的形状，所述规定的基板处理使所述第一微小构造的形状的尺寸变化，该基板处理控制方法的特征在于，包括：反射率光谱计算步骤，其针对各所述形状的尺寸，预先计算得到所述形状的尺寸已变化时的来自所述第一微小构造的反射光的第一反射率的光谱和来自所述第二微小构造的反射光的第二反射率的光谱；反射率光谱叠加步骤，其将所述得到的第一反射率的光谱和所述得到的第二反射率的光谱叠加，得到针对各所述形状的尺寸的参考光谱数据；反射率光谱实测步骤，其向所述基板照射光，并实测来自所述基板的所述第一和第二微小构造的反射光，得到该实测出的反射光的反射率的光谱，作为实测光谱数据；形状尺寸计算步骤，其对所述实测光谱数据和各所述参考光谱数据进行比较，计算出与最接近于所述实测光谱数据的所述参考光谱数据对应的所述形状的尺寸，作为所述被测定的所述形状的尺寸；和基板处理结束步骤，在所述计算出的形状的尺寸达到期望值的情况下，结束所述规定的基板处理，在所述反射率光谱计算步骤中，使用RCWA，根据来自所述第一微小构造的反射光得到所述第一反射率的光谱，使用标量分析，根据来自所述第二微小构造的反射光得到所述第二反射率的光谱。