[发明专利]可编程导体随机存取存储器以及向其中写入的方法无效
| 申请号： | 200910165584.7 | 申请日： | 2002-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN101615426A | 公开（公告）日： | 2009-12-30 |
| 发明（设计）人： | G·哈斯 | 申请（专利权）人： | 微米技术有限公司 |
| 主分类号： | G11C13/02 | 分类号： | G11C13/02;G11C7/12 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 柯广华;李家麟 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供一种改进的写入电路和方法，用于写入可编程导体随机存取存储器(PCRAM)单元。该方法包括把位线预充电为第一电压以及把第二电压施加到硫属存储元件的第一端子。把硫属存储元件的第二端子有选择地耦合到位线，以便在存储元件上产生足以把预定阻态写入该元件的电压。第一电压可采用两个不同的值来把两个不同的阻态编程到存储元件中。 | ||
| 搜索关键词： | 可编程 导体 随机存取存储器 以及 其中 写入 方法 | ||
【主权项】：
1.一种操作存储单元的方法，所述方法包括：提供由位线、行线和公共电压端子来寻址的存储单元；把位线预充电为第一电压并且利用所述位线的寄生电容保持所述预充电；把第二电压施加到公共电压端子；以及通过激活行线把存储元件连接到所述位线，其中所述连接允许所述存储元件上的电压足以将所述存储元件编程为一种阻态。
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