[发明专利]内埋式单层金属层基板、应用之封装件及基板制造方法有效
| 申请号： | 200910165917.6 | 申请日： | 2009-08-11 |
| 公开（公告）号： | CN101887879A | 公开（公告）日： | 2010-11-17 |
| 发明（设计）人： | 黄士辅;苏洹漳;陈嘉成;陈家庆 | 申请（专利权）人： | 日月光半导体制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/498 | 分类号： | H01L23/498;H01L23/48;H01L23/12;H01L21/48 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 陆勍 |
| 地址： | 中国台湾高雄市*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种单层金属层基板结构，应用于一封装件，其基板结构包括一第一图案化介电层(first patterned dielectric layer)、一图案化金属层(patterned metal layer)和一第二图案化介电层(second patterned dielectric layer)。图案化金属层内埋于第一图案化介电层，且图案化金属层的上表面与第一图案化介电层的上表面为一共平面，其中第一图案化介电层的下表面至少暴露出部分图案化金属层，以形成下方对外电性连接的数个第一接点。第二图案化介电层位于图案化金属层和第一图案化介电层的上方，且第二图案化介电层至少暴露出图案化金属层的部分上表面，以形成上方对外电性连接的数个第二接点。封装件结构则包括至少一晶粒(die)与上述基板的第二接点电性连接，和覆盖第一图案化介电层、图案化金属层、第二图案化介电层和晶粒的胶体(Molding Compound)。 | ||
| 搜索关键词： | 内埋式 单层 金属 层基板 应用 封装 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种单层金属层基板结构，包括：一第一图案化介电层(first patterned dielectric layer)，具有一上表面和一下表面；一图案化金属层(patterned metal layer)，内埋于该第一图案化介电层，且该图案化金属层的一上表面与该第一图案化介电层的该上表面为一共平面，其中该第一图案化介电层至少暴露出部分该图案化金属层，以形成下方对外电性连接的数个第一接点；和一第二图案化介电层(second patterned dielectric layer)，位于该图案化金属层及该第一图案化介电层上方，且该第二图案化介电层至少暴露出该图案化金属层的部分该上表面，以形成上方对外电性连接的数个第二接点。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于日月光半导体制造股份有限公司，未经日月光半导体制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200910165917.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
