[发明专利]半导体集成电路无效

专利信息
申请号: 200910166005.0 申请日: 2009-08-07
公开(公告)号: CN101645303A 公开(公告)日: 2010-02-10
发明(设计)人: 下川健寿;古田博伺 申请(专利权)人: 恩益禧电子股份有限公司
主分类号: G11C11/34 分类号: G11C11/34
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司 代理人: 孙志湧;穆德骏
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供了一种半导体集成电路,该半导体集成电路具有K(K是2或者大于2的自然数)个耦合到同一字线的存储器单元,和耦合到存储器单元的多个传感放大器电路。多个传感放大器电路被划分为N(N是2或者大于2的自然数)个组。在N个组中,在第一组传感放大器电路被激活并且在执行预定的读出操作之后,第二组传感放大器电路被激活并且执行预定的读出操作,并且第N组传感放大器电路被顺序地激活以执行预定的读出操作。
搜索关键词: 半导体 集成电路
【主权项】:
1.一种半导体集成电路,包括:K个存储器单元,所述K个存储器单元耦合到同一字线,和多个传感放大器电路,所述多个传感放大器电路耦合到所述存储器单元,其中所述多个传感放大器电路被划分为N个组,K和N是2或者大于2的自然数,在所述N个组中,在第一组传感放大器电路被激活并且执行预定的读出操作之后,第二组所述传感放大器电路被激活并且执行所述预定的读出操作,并且第N组所述传感放大器电路被顺序地激活以执行所述预定的读出操作。
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