[发明专利]半导体存储器装置有效
| 申请号： | 200910166010.1 | 申请日： | 2009-08-07 |
| 公开（公告）号： | CN101645304A | 公开（公告）日： | 2010-02-10 |
| 发明（设计）人： | 高桥弘行 | 申请（专利权）人： | 恩益禧电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/40 | 分类号： | G11C11/40;G11C11/401 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 孙志湧;穆德骏 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体存储器装置。在示例性方面，提供了这样一种半导体存储器装置，其包括：读出放大器，其驱动连接存储器单元的位线；以及驱动器晶体管，其将电源提供给读出放大器，其中，读出放大器被布置成行，并且构成其中布置第一导电类型的晶体管的第一读出放大器行和其中布置第二导电类型的晶体管的第二读出放大器行，并且驱动器晶体管在第一读出放大器行和第二读出放大器行之间构成至少一个晶体管行，所述至少一个晶体管行包括与第一读出放大器行相对应的第一导电类型的第一驱动器晶体管和与第二读出放大器行相对应的第二导电类型的第二驱动器晶体管。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储器 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体存储器装置，包括：读出放大器，其驱动连接至存储器单元的位线；以及驱动器晶体管，其将电源提供给所述读出放大器，其中，所述读出放大器被以行的方式布置，并且构造布置有第一导电类型的晶体管的第一读出放大器行和布置有第二导电类型的晶体管的第二读出放大器行，以及所述驱动器晶体管在所述第一读出放大器行和所述第二读出放大器行之间构造至少一个晶体管行，所述至少一个晶体管行包括与所述第一读出放大器行相对应的所述第一导电类型的第一驱动器晶体管和与所述第二读出放大器行相对应的所述第二导电类型的第二驱动器晶体管。
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