[发明专利]集成电路的内连线结构及其制作方法有效
| 申请号： | 200910166230.4 | 申请日： | 2009-08-20 |
| 公开（公告）号： | CN101924095A | 公开（公告）日： | 2010-12-22 |
| 发明（设计）人： | 梁雯萍;邱钰珊;苏国辉 | 申请（专利权）人： | 南亚科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/532 | 分类号： | H01L23/532;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京市浩天知识产权代理事务所 11276 | 代理人： | 刘云贵 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种集成电路的内连线结构及其制作方法。该内连线结构包含有：基材；下层金属导线，位于该基材上的第一金属层间介电层中；第二金属层间介电层，位于该第一金属层间介电层上，且覆盖着该下层金属导线；上层金属导线，位于该第二金属层间介电层上；以及介层插塞结构，位于该第二金属层间介电层中，用以连结该上层金属导线与该下层金属导线，其中该介层插塞结构包含有钨金属栓柱，形成在该下层金属导线上，以及铝插塞，堆叠在该钨金属栓柱上。本发明具备较低阻值的介层插塞结构和具有成本优势。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 连线 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种集成电路的内连线结构，包含有基材、第一金属层间介电层，位于该基材上、下层金属导线，位于该第一金属层间介电层中、第二金属层间介电层，位于该第一金属层间介电层上，且覆盖着该下层金属导线、上层金属导线，位于该第二金属层间介电层上、以及介层插塞结构，位于该第二金属层间介电层中，用以连结该上层金属导线与该下层金属导线，其特征在于：该介层插塞结构包含有钨金属栓柱，形成在该下层金属导线上，以及铝插塞，堆叠在该钨金属栓柱上。
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