[发明专利]半导体装置

摘要

一种半导体装置。在具有两层电极结构的分立式双极型晶体管中，将第一层发射极电极与发射极区域由形成于它们之间的第一绝缘膜的发射极接触孔连接。将第二层发射极电极与第一层发射极电极由形成于它们之间的第二绝缘膜的发射极通孔连接。故在第二层发射极电极下方，发射极接触孔和发射极通孔重叠，产生两个绝缘膜厚度的高度差。该高度差也影响第二层发射极电极表面，在其上使用焊料粘合金属片时，由于凹凸大产生不良粘合。本发明的半导体装置使设于第一层发射极电极上下的发射极接触孔和发射极通孔不重叠，对于一个发射极电极使发射极接触孔和发射极通孔相互分开地配置多个。故在第二层发射极电极表面，即便高度差为最大，也仅受设于膜厚较厚的绝缘膜的发射极通孔高度差的影响，第二层电极表面的平坦性提高。可以避免金属片不良粘合。

主权项

1.一种半导体装置，其特征在于，具有：一导电型半导体基板，其构成集电极区域；逆导电型基极区域，其设于所述基板上；一导电型发射极区域，其呈格子状地设于所述基极区域表面；第一绝缘膜，其设于所述基极区域及所述发射极区域上；基极接触孔，其与岛状的所述基极区域分别对应且以相同的大小设于所述第一绝缘膜；多个发射极接触孔，其以相同的大小设于所述发射极区域上的所述第一绝缘膜；长条状的第一基极电极，其与自所述基极接触孔露出的多个所述基极区域接触；长条状的第一发射极电极，其与自所述发射极接触孔露出的所述发射极区域接触；第二绝缘膜，其设于所述第一基极电极及所述第一发射极电极上；基极通孔，其与一部分所述基极接触孔对应且设于所述第二绝缘膜；多个发射极通孔，其以均等的大小设于所述第一发射极电极上方的所述第二绝缘膜；平板状的第二发射极电极，其设于所述第一基极电极及所述第一发射极电极上，且与所述第一发射极电极接触；平板状的第二基极电极，其比所述第二发射极电极小，设于所述第一基极电极及所述第一发射极电极上，且与所述第一基极电极接触；导电性粘合剂，其设于所述第二发射极电极上；以及金属片，其粘合于该导电性粘合剂；所述发射极接触孔和所述发射极通孔分开地交替配置于一个所述第一发射极电极上。