[发明专利]非水电解质二次电池、负电极、负电极材料、和Si-O-Al复合物的制备有效
| 申请号： | 200910166676.7 | 申请日： | 2009-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN101662013A | 公开（公告）日： | 2010-03-03 |
| 发明（设计）人： | 中西铁雄;渡边浩一朗 | 申请（专利权）人： | 信越化学工业株式会社 |
| 主分类号： | H01M4/02 | 分类号： | H01M4/02;H01M4/36;H01M4/38;H01M4/48;H01M4/62;H01M4/04;H01M10/36;H01M10/40 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 李 帆 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及非水电解质二次电池、负电极、负电极材料、和Si-O-Al复合物的制备。本发明提供了包含硅、氧化硅和氧化铝的Si-O-Al复合物，其表现出如下的粉末XRD谱图，其中在28.3°处的硅信号强度是21°附近的信号强度的1至9倍。使用包含该Si-O-Al复合物的负电极材料来构造非水电解质二次电池，该电池具有改善的第1次循环充电/放电效率和循环性能，同时维持氧化硅的高电池容量和在充电时的低体积膨胀。 | ||
| 搜索关键词： | 水电 二次 电池 电极 材料 si al 复合物 制备 | ||
【主权项】：
1.用于非水电解质二次电池的负电极材料，包含Si-O-Al复合物作为活性材料，该Si-O-Al复合物含有硅、硅和铝的氧化物形式，所述Si-O-Al复合物在进行粉末X射线衍射时表现出包括如下信号的谱图：21°附近的信号和在28.3°处归属于硅的信号，在28.3°处的信号强度是21°附近的信号强度的1至9倍。
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