[发明专利]硅加工方法、微振荡器制造方法、光学设备和硅基片无效
| 申请号： | 200910167481.4 | 申请日： | 2009-08-25 |
| 公开（公告）号： | CN101659390A | 公开（公告）日： | 2010-03-03 |
| 发明（设计）人： | 加藤贵久;岛田康弘 | 申请（专利权）人： | 佳能株式会社 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;B81B3/00;G02B26/08 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 魏小薇 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及硅加工方法、微振荡器制造方法、光学设备和硅基片，所述硅加工方法包括：在单晶硅基片的主平面上形成掩模图案；以及向所述主平面应用晶体各向异性蚀刻，以形成包括(111)面及其等效晶面并且具有宽度W1和长度L1的结构体。主平面包括(100)面及其等效晶面、或(110)面及其等效晶面。在掩模图案中形成用于确定结构体的宽度W1的确定部。掩模图案的用于宽度W1的确定部的宽度为宽度W2。在掩模图案的长度方向上，除了确定部以外的掩模图案的宽度大于宽度W2。 | ||
| 搜索关键词： | 加工 方法 振荡器 制造 光学 设备 硅基片 | ||
【主权项】：
1.一种硅加工方法，包括：在单晶硅基片的主平面上形成掩模图案，所述主平面包括(100)面及其等效晶面和(110)面及其等效晶面之一；以及向所述主平面施加晶体各向异性蚀刻，以形成包括(111)面及其等效晶面并具有宽度W1和长度L1的结构体，其中在掩模图案中形成用于确定结构体的宽度W1的确定部，所述掩模图案的用于宽度W1的确定部的宽度为宽度W2，以及在掩模图案的长度方向上，除了确定部以外的掩模图案的宽度大于宽度W2。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于佳能株式会社，未经佳能株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200910167481.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：清洗装置
- 下一篇：汽车尤其是商用汽车的底盘
