[发明专利]自会聚底部电极环

摘要

一种包括自会聚底部电极环的方法及内存单元。该方法包括在基底上形成阶梯间隔件、顶部绝缘层、中介绝缘层以及底部绝缘层。该方法包括在该顶部绝缘层和该中介绝缘层内形成阶梯间隔件。该阶梯间隔件的尺寸容易控制。该方法也包括在具有阶梯间隔件的底部绝缘层中形成通道以做为屏蔽。该方法包括在通道内形成包括该通道内的杯型外部导电层的底部电极环以及在该杯型外部导电层内形成内部绝缘层。该方法包括在该底部电极环上形成相变层以及在该底部电极环上形成顶部电极。

主权项

一种形成内存单元结构的方法，该方法包括：在一基底上形成至少一底部绝缘层，该底部绝缘层由第一绝缘材料构成；在该基底上形成至少一中介绝缘层，该中介绝缘层由第二绝缘材料构成，从该第一绝缘材料可独立地移除该第二绝缘材料；在该基底上形成至少一顶部绝缘层，该顶部绝缘层由第三绝缘材料构成，从该第二绝缘材料可独立地移除该第三绝缘材料；在该顶部绝缘层以及该中介绝缘层中形成一通孔；在该中介绝缘层中形成一切口，致使在该通孔内该顶部绝缘层突出于该中介绝缘层；在该通孔中形成一间隔件材料的阶梯间隔件，致使在该底部绝缘层上产生一空腔，该空腔的直径独立于该通孔的直径，该阶梯间隔件环绕一通道，该通道延伸到该底部绝缘层；蚀刻该底部绝缘层，致使该通道延伸穿过该底部绝缘层；移除该阶梯间隔件；形成完全填充该底部绝缘层中的该通道的一底部电极环，该底部电极环由一外部导电材料以及一内部绝缘材料构成；在该底部电极环上形成由一相变材料所构成的一相变层；以及在该相变材料上形成由一导电材料所构成的一顶部电极层。