[发明专利]一种具有P型浮空层的载流子存储槽栅IGBT无效
| 申请号： | 200910167911.2 | 申请日： | 2009-10-16 |
| 公开（公告）号： | CN101694850A | 公开（公告）日： | 2010-04-14 |
| 发明（设计）人： | 李泽宏;马荣耀;张波;王蓉 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/423;H01L29/06 |
| 代理公司： | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人： | 葛启函 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 一种具有P型浮空层的载流子存储槽栅IGBT，属于半导体功率器件技术领域。本发明在现有载流子存储槽栅双极型晶体管基础上引入了P型浮空层(13)，使得载流子存储层几乎无需承受耐压，降低了正向导通压降；P型浮空层还改善了槽栅底部的电场集中效应，使得最大峰值电场得到有效减小，防止了槽栅底部和高浓度载流子存储层附近因电场过高而发生的击穿，大大提高了器件的击穿电压；P型浮空层的存在引入了一个JFET区，器件正向导通时，随着集电极电压的不断增大，JFET区电阻不断增大，使得器件的饱和电流降低，从而在获得更低的导通压降的同时，仍然维持较大的短路安全工作区(SCSOA)。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 型浮空层 载流子 存储 igbt | ||
【主权项】：
一种具有P型浮空层的载流子存储槽栅IGBT，每个元胞包括集电极(1)，P+集电区(2)，P型集电区(11)，N型缓冲层(3)，N-基区(4)，P型浮空层(13)，栅氧化层(5)，多晶硅栅(6)，发射极(7)，N+源区(9)，P+体区(8)，N型载流子存储层(12)；其特征在于，所述栅氧化层(5)和多晶硅栅(6)构成沟槽删结构，所述沟槽删结构位于N-基区(4)上方的两侧；所述N型载流子存储层(12)被沟槽删结构所包围，并位于所述P+体区(8)与所述N-基区(4)之间；所述P型浮空层(13)位于所述N-基区(4)的上方两侧，并分别与沟槽删结构下断面的删氧化层和N-基区(4)相连。
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