[发明专利]高折射率聚硅氧烷及其制备有效
| 申请号： | 200910168034.0 | 申请日： | 2002-07-18 |
| 公开（公告）号： | CN101633735A | 公开（公告）日： | 2010-01-27 |
| 发明（设计）人： | P·切瓦里尔;区端力 | 申请（专利权）人： | 陶氏康宁公司 |
| 主分类号： | C08G77/385 | 分类号： | C08G77/385;C08G77/24;C08G77/06;C07F7/12 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 张 钦 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 高折射率的聚硅氧烷包括通式(I)的硅氧烷T单元，式中，A表示具有1-4碳原子的亚烷基，n＝0或1，m为至少1，且Ar为被至少一个碘、溴或氯原子取代的芳基，或者是多核芳族基团。本发明包括具有通式为(Ar)m-(A)nSiCl3的用于形成高折射率的聚硅氧烷的氯硅烷。 | ||
| 搜索关键词： | 折射率 聚硅氧烷 及其 制备 | ||
【主权项】：
1.高折射率的聚硅氧烷的制备方法，其特征在于使包含Ar’(R)XSiO(3-x/2)单元的芳基聚硅氧烷与氯、溴或碘反应，式中Ar’是芳基，每个R独立地表示烷基、芳基、卤代烷基、烷氧基或氢基团，且x＝0、1或2。
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