[发明专利]半导体器件有效
申请号: | 200910168293.3 | 申请日: | 2009-08-24 |
公开(公告)号: | CN101667452A | 公开(公告)日: | 2010-03-10 |
发明(设计)人: | 山冈雅直;长田健一 | 申请(专利权)人: | 株式会社瑞萨科技 |
主分类号: | G11C11/41 | 分类号: | G11C11/41;G11C11/413 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 | 代理人: | 王茂华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种半导体器件,能够自动补偿存储单元写入和读出余量的劣化。半导体器件比较用于确定字线选择期间的字线定时信号和基准信号,在响应上述比较结果为读出余量低的状态时施加扩大读出余量的基板偏压,反之在该比较结果表示处于低写入余量状态时施加扩大写入余量的基板偏压。基准信号根据补偿随字线选择期间(字线脉冲宽度)变动的工作余量的情况、或在补偿因工艺变动(阈值电压的偏差)而变动的工作余量的情况来选择。通过根据字线脉冲宽度控制基板偏压能够改善随字线脉冲宽度变动的工作余量,另外,能够改善随制造时的阈值电压的偏差而变动的工作余量。 | ||
搜索关键词: | 半导体器件 | ||
【主权项】:
1.一种半导体器件,包括:多个存储单元的阵列,其中,存储单元的选择端子与字线相连接,存储单元的数据端子与位线相连接;字线定时生成电路,其生成用于确定字线选择期间的字线定时信号;比较电路,其比较上述字线定时信号和基准信号;以及基板偏压控制电路,其在上述比较电路的比较结果表示处于低读出余量状态时施加扩大读出余量的基板偏压,反之在该比较结果表示处于低写入余量状态时施加扩大写入余量的基板偏压。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社瑞萨科技,未经株式会社瑞萨科技许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200910168293.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:长晶炉拉晶杆
- 下一篇:难熔金属熔融盐高温电铸钼的组方及其特种工艺方法