[发明专利]具有抑制特性偏移的结构的薄膜晶体管面板及其制造方法

摘要

一种薄膜晶体管面板包括：基板(1)；薄膜晶体管(3)，形成在基板(1)上，具有栅电极(6)、栅绝缘膜(7)、半导体薄膜(8)、在半导体薄膜(8)上形成的一对欧姆接触层(10、11)、以及在各欧姆接触层(10、11)上形成的源电极(12)和漏电极(13)，半导体薄膜(8)在源电极(12)和漏电极(13)之间具有沟道区域；像素电极(2)，与薄膜晶体管(3)的源电极(12)连接；以及第一和第二导电性被覆膜(14、15)，设置在源电极(12)侧和漏电极(13)侧的上部，由与像素电极(2)相同的材料形成；第一导电性被覆膜(14)的宽度比源电极(12)的宽度宽，第二导电性被覆膜(15)的宽度比漏电极(13)的宽度宽。

主权项

一种薄膜晶体管面板，包括：基板(1)；薄膜晶体管(3)，形成在所述基板(1)上，具有栅电极(6)、栅绝缘膜(7)、半导体薄膜(8)、在所述半导体薄膜(8)上形成的一对欧姆接触层(10、11)、以及在所述各欧姆接触层(10、11)上形成的源电极(12)和漏电极(13)，所述半导体薄膜(8)在所述源电极(12)和所述漏电极(13)之间具有沟道区域；像素电极(2)，与所述薄膜晶体管(3)的所述源电极(12)连接；以及第一和第二导电性被覆膜(14、15)，设置在所述源电极(12)和所述漏电极(13)的上部，由与所述像素电极(2)相同的材料形成，所述第一导电性被覆膜(14)被设置为宽度比所述源电极(12)的宽度宽，所述第二导电性被覆膜(15)被设置为宽度比所述漏电极(13)的宽度宽，并且与所述漏电极(13)的上表面接触，并且，从所述漏电极(13)延伸出来，以便跨过与所述漏电极(13)连接的漏极布线(5)的一部分。