[发明专利]用于依序侧向结晶技术的掩膜及激光结晶方法

摘要

本发明揭露一种应用于依序侧向结晶技术的掩膜及激光结晶的方法，所述掩膜包括多个平行配置的重复图案，该重复图案包括相邻的矩形或者等边三角形，所述矩形或者三角形为遮光或者透光图案，应用本发明所揭露的掩膜于SLS技术中，由于掩膜上的图案图形对称的概念，可制作至少两种晶粒方向的多晶硅图案。另外，利用控制掩膜上的多个遮光区及透光区图案面积大小，可以得到完美的晶粒边界。

主权项

1.一种应用于依序侧向结晶技术的掩膜，其特征在于，具有复数个平行配置的重复图案，该图案包括：一第一单元，由四个矩形相连接而构成，其中该四个矩形依照方位分别为左上角矩形、左下角矩形、右上角矩形、右下角矩形，并且该左上角矩形的左侧边位于该所述左下角矩形的左侧边的右方，其中所述第一单元的所述左上角矩形与所述右下角矩形为遮光区，且所述右上角矩形与所述左下角矩形为透光区；以及一第二单元，位于所述第一单元的右侧且紧邻该第一单元，所述第二单元由四个矩形相连接而构成，其中该所述四个矩形依照方位分别为左上角矩形、左下角矩形、右上角矩形、右下角矩形，并且所述左上角矩形的左侧边位于所述左下角矩形的左侧边的右方，其中所述第二单元的左上角矩形与右下角矩形为透光区，且所述第二单元的右上角矩形与左下角矩形为遮光区；其中，所述第一单元的右上角矩形的右边紧接着所述第二单元的左上角矩形的左边，且该第一单元的右下角矩形的右边紧接着所述第二单元的左下角矩形的左边。