[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 200910169146.8 | 申请日： | 2009-09-11 |
| 公开（公告）号： | CN101673765A | 公开（公告）日： | 2010-03-17 |
| 发明（设计）人： | 黄焕宗;杨士洪;益冈有里;后藤贤一 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/49;H01L27/04;H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 姜 燕;陈 晨 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体装置及其制造方法。上述半导体装置包括一半导体基板，其具有一源极区和一漏极区，上述半导体基板定义从上述源极区至上述漏极区的一第一尺寸；一栅极堆叠结构，设置于上述半导体基板上，且水平地部分介于上述源极区和上述漏极区之间。上述栅极堆叠结构包括一第一金属物，设置于上述高介电常数介电层上，上述第一金属物具有一第一功函数且定义平行于上述第一尺寸的一第二尺寸；一第二金属物，其具有不同于上述第一功函数的一第二功函数且定义平行于上述第一尺寸的一第三尺寸，上述第三尺寸小于上述第二尺寸。本发明提供的半导体装置及其制造方法能够增加调整短通道效应和起始电压的自由度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，包括：一半导体基板，其具有一源极区和一漏极区，且该半导体基板定义从该源极区至该漏极区的一第一尺寸；以及一栅极堆叠结构，设置于该半导体基板上，且部分介于该源极区和该漏极区之间，其中该栅极堆叠结构包括：一高介电常数介电层，设置于该半导体基板上；一第一金属物，设置于该高介电常数介电层上，该第一金属物具有一第一功函数且定义平行于该第一尺寸的一第二尺寸；以及一第二金属物，其具有不同于该第一功函数的一第二功函数且定义平行于该第一尺寸的一第三尺寸，该第三尺寸小于该第二尺寸。
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